美光科技股價站上1000美元，同閃迪等四巨頭均創歷史新高！摩根大通：本輪存儲超級週期將「更高、更長」

摩根大通大幅上調全球存儲市場預期，預計2028年市場規模將達1.7萬億美元。AI需求正從GPU向CPU全面擴散，推動服務器內存需求超預期增長，HBM供需缺口有望持續至2028年。隨着存儲在雲廠商資本開支中的佔比突破50%，行業正從週期性商品轉變爲AI基礎設施核心資產。

AI需求從GPU向CPU全面擴散，正在重塑全球存儲芯片行業的基本面邏輯。

摩根大通在最新研究報告中大幅上調全球存儲市場規模預測，並維持對該板塊的多年期看多立場，認爲存儲芯片正從傳統的週期性大宗商品向AI基礎設施的戰略核心資產轉型。

今日美股開盤，美股存儲概念股延續強勢， $美光科技 (MU.US)$ 漲超6%，股價站上1000美元關口， $閃迪 (SNDK.US)$ 漲超5%， $西部數據 (WDC.US)$ 漲超4%， $希捷科技 (STX.US)$ 漲超3%，四巨頭均創下歷史新高！

摩根大通將2026至2028年全球存儲市場總規模（TAM）預測較3月模型上調37%至53%，預計2028年TAM將達1.7萬億美元。 其中DRAM市場收入預計從2025年的1430億美元躍升至2026年的6360億美元，再於2028年達到1.237萬億美元；NAND市場收入同期預計從710億美元增至4545億美元。

摩根大通預計， 供需缺口將在2027年進一步擴大，理論上爲DRAM及NAND價格提供額外上行空間，但長期協議（LTA）合同銷售佔比的提升將令價格走勢趨於穩定。

上述預測的核心驅動力在於：CPU算力需求的爆發式增長爲原本以GPU為主導的AI存儲需求敘事注入了新變量，而存儲芯片在雲服務商（CSP）硬件資本開支中的價值佔比已從AI浪潮初期的十幾個百分點攀升至今年預計超過50%。摩根大通指出，這一結構性轉變正推動市場重新審視存儲股的估值框架。

摩根大通報告指出，AI算力需求正從GPU向CPU加速擴散，成爲本輪存儲上行週期的最新催化劑。1Q26業績期的最大超預期之處，正是CPU需求的強勁表現——CPU承擔着AGI系統中任務編排、狀態管理及API執行等關鍵控制層功能。

具體來看， $英偉達 (NVDA.US)$ 指引2026年獨立Vera CPU銷售額達200億美元； $美國超微公司 (AMD.US)$ 將服務器CPU市場規模增速預測從此前的18%大幅上調至每年35%以上，預計到2030年市場規模將達1200億美元； $英特爾 (INTC.US)$ 則預計CPU與GPU的配比將從約1:8收窄至1:4，並暗示隨着智能體AI計算需求持續增長，兩者最終將趨於平衡。

從存儲行業視角看，GPU與CPU的配比持續下降——從2023年的5.4:1降至2025年的3.2:1，摩根大通預計2028年將進一步收窄至2.4:1——這一趨勢將顯著拉動AI服務器內存需求。摩根大通將2026至2028年服務器內存需求預測上調5%至22%，並強調2027至2028年上調幅度中逾60%來自AI服務器（AI頭節點及AI獨立CPU）需求的增量貢獻。據此，AI服務器內存需求（不含HBM）在2027至2028年將佔DRAM總需求的30%以上，而此前預測僅爲14%。

高帶寬內存（HBM）市場的供需格局同樣持續收緊。摩根大通將2026至2028年HBM市場規模預測上調17%至21%，預計HBM供需缺口將貫穿整個2028年，缺口比例維持在兩位數百分比水平。

需求端， $英偉達 (NVDA.US)$ Blackwell GPU出貨量上調至2026/2027年的890萬/990萬顆（此前預測爲750萬/760萬顆）； $谷歌-C (GOOG.US)$ TPU單元假設上調至2026/2027年的450萬/800萬顆； $亞馬遜 (AMZN.US)$ Trainium出貨量亦有所上調。ASIC出貨量預計將於2027年超越商用GPU。

定價方面，摩根大通預計2027年混合HBM均價將同比上漲32%，創歷史新高，主要由HBM3E及HBM4價格分別上漲19%和15%驅動，而HBM4E因供應鏈極度緊張，定價較HBM3E溢價高達61%。HBM佔DRAM晶圓產能的分配比例預計將從2026年的24%提升至2028年的31%，進一步加劇傳統DRAM的供需壓力。

三星方面，摩根大通將其在NVDA客戶中的HBM4市場份額上調至2026年約高十幾個百分點（HBM4相關錢包份額約31%），認爲三星在HBM4認證進度上領先競爭對手，並已開始出貨12層48GB HBM4E樣品用於認證測試。

存儲芯片在AI計算體系中的戰略地位正發生根本性轉變。摩根大通援引Micron CEO的表態指出，存儲正在成爲一種戰略資產，穩定採購對於AI服務的高速、高質量運營至關重要。

數據顯示，存儲在CSP硬件資本開支中的佔比從AI浪潮初期的十幾個百分點大幅攀升，預計今年將超過50%，2030年有望達到73%。與此同時，摩根大通預計存儲行業營業利潤率將在2026至2028年穩定在75%至77%的歷史高位，遠超2025年的30%。

然而，摩根大通也坦承，存儲股目前仍以折價於盈利的估值水平交易，主要原因在於投資者對存儲價值份額能否持續提升存有疑慮。報告認爲，更高的CSP硬件資本開支以及NVDA對2030年3至4萬億美元支出前景的更多佐證，將有助於緩解市場對存儲盈利可持續性的擔憂。摩根大通指出，AI已帶來全新的需求結構，傳統的週期性估值框架已不再適用，新的估值方法勢在必行。

NAND市場方面，企業級固態硬盤（eSSD）正成爲市場擴張的核心驅動力。摩根大通預計2026年eSSD市場規模將超過500EB，佔NAND總需求的43%，並預計未來兩年將以52%的複合年增長率擴張至逾1100EB。考慮到ASP溢價，eSSD價值TAM在未來兩年有望超過3000億美元，規模將超過HBM市場。

供給端，NAND資本開支仍低於歷史峰值水平，SLC需求的增加進一步支撐供需平衡。摩根大通預計NAND三年累計資本開支爲860億美元，主要用於技術遷移，新建產能影響最早於2028年下半年顯現。相較DRAM，NAND在頭部廠商中的資本開支優先級相對較低，但已出現2029年新建產能項目的早期跡象。

面對多年供需短缺前景，存儲廠商正加速擴大資本開支。

摩根大通預計未來三年全球存儲資本開支合計約4500億美元，較2025年12月模型的3000億美元大幅上調。

其中DRAM三年累計資本開支約3640億美元，60%的增量產能分配給HBM；NAND三年累計資本開支約860億美元。EUV設備採購及基礎設施建設是當前的主要瓶頸。

中國廠商方面，DRAM市場份額預計從2025年的6%提升至2028年的8%至11%，NAND市場份額從12%提升至12%至16%，產能擴張速度高於行業平均水平。

但受制於產品結構偏低端，價值份額增長空間有限，預計2028年DRAM及NAND價值份額分別約爲10%和12%。

編輯/Deng